| 摘要 |
본 발명은 (A) 고분자 화합물 또는 고분자 화합물의 혼합물에 의한 막이 알칼리성 현상액에 불용성이고, 산의 작용에 의해 가용성으로 변화하는 고분자 화합물 또는 고분자 화합물의 혼합물, (B) 산발생제, (C) 산의 작용을 억제하기 위한 염기성 화합물, 및 (D) 용제를 함유하며, 상기 (C) 성분은 염기성 활성점으로서 2급 또는 3급 아민 구조를 갖는 측쇄를 갖는 반복 단위를 갖는 고분자 화합물인 전자선용 또는 EUV용 화학 증폭 포지티브형 레지스트 조성물에 관한 것이다. 본 발명에 따르면, 초미세 패턴이 요구되는 레지스트 패턴의 형성에 있어서, 상기 화학 증폭 포지티브형 레지스트 조성물을 이용함으로써 염기의 존재를 균일하게 할 수 있어, 라인 엣지 러프니스의 개선, 또한 온도 의존성의 억제를 할 수 있고, 고해상도를 기대할 수 있는 화학 증폭 포지티브형 레지스트 조성물을 제공할 수 있다. |
