High Density MOS-Gated Power Device And Process For Forming Same,申请号KR20000013128-传众专利搜索

发明名称	High Density MOS-Gated Power Device And Process For Forming Same
摘要
申请公布号	KR100714239(B1)	申请公布日期	2007.05.02
申请号	KR20000013128	申请日期	2000.03.15
申请人		发明人
分类号	H01L29/78	主分类号	H01L29/78
代理机构		代理人
主权项
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