半导体装置、半导体装置的制造方法及电光学装置

摘要

提供一种具有LDD或GOLD结构的半导体装置的制造工序的简化方法。本发明涉及一种半导体装置的制造方法，其中具有：使半导体层上与源侧高浓度区域和漏侧高浓度区域对应的抗蚀剂层的膜厚，比源侧低浓度区域、漏侧低浓度区域和沟道区域的膜厚形成得薄的的工序，和以抗蚀剂层作为掩模将半导体层蚀刻成所定形状，同时向半导体层注入杂质，形成源侧高浓度区域和漏侧高浓度区域的工序。

主权项

1、一种半导体装置的制造方法，是具有源侧高浓度区、漏侧高浓度区、源侧低浓度区、漏侧低浓度区和沟道区域的半导体膜，和通过介入栅绝缘膜、与所述半导体膜相对向的栅电极的半导体装置的制造方法，其特征在于，其中包括：在基板上形成半导体膜的工序；将在所述半导体膜上与所述源侧高浓度区和所述漏侧高浓度区对应的抗蚀剂层的膜厚，形成为比所述源侧低浓度区、所述漏侧低浓度区和所述沟道区域对应的所述抗蚀剂层的膜厚薄的工序；以所述抗蚀剂层作为掩模，将所述半导体膜蚀刻成所定图案，同时通过所述抗蚀剂层的薄的部分向所述半导体膜注入高浓度杂质，形成所述源侧高浓度区和所述漏侧高浓度区的工序；从所述半导体膜上除去所述抗蚀剂层，在所述半导体膜上形成栅绝缘膜的工序；在所述栅绝缘膜上与所述沟道区域对应的位置上形成所述栅电极的工序；以所述栅电极作为掩模，向所述半导体膜注入比所述高浓度杂质低的低浓度杂质，形成所述源侧低浓度区和所述漏侧低浓度区的工序。