| 发明名称 | 利用衰减的相移掩模图案化晶片上的光刻胶的方法 | ||
| 摘要 | 一种衰减的相移掩模(10或20)包括基板(12或22)和覆盖在基板上的衰减叠层(11或21)。衰减叠层包括覆盖在基板上的铬层或钌层(14或24)、覆盖在铬层或钌层上的氧化硅钽层(16或26)和覆盖在氧化硅钽层上的氮化硅钽层(18或28)。衰减叠层还可包括在基板(22)和铬或钌层(24)之间的层(30)。在一个实施例中，该层是部分基板。使用衰减叠层来图案化半导体晶片上的光刻胶(50)。在一个实施例中，在曝光波长处，与衰减叠层相邻的部分基板具有大于90％的透射率，且衰减叠层具有5％至20％的透射率。在一个实施例中，基板和衰减叠层之间在检查波长处的检查对比度大于75％。 | ||
| 申请公布号 | CN100470381C | 申请公布日期 | 2009.03.18 |
| 申请号 | CN200480005996.X | 申请日期 | 2004.02.13 |
| 申请人 | 飞思卡尔半导体公司 | 发明人 | 詹姆斯·R·沃森;帕维特·曼加特 |
| 分类号 | G03F9/00(2006.01)I;G21K5/00(2006.01)I;G03G16/00(2006.01)I;G03C5/00(2006.01)I | 主分类号 | G03F9/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 李 涛;钟 强 |
| 主权项 | 1. 一种衰减的相移透射掩模，包括：基板；和覆盖在基板上的衰减叠层，其中衰减叠层包括覆盖在基板上的第一层、覆盖在第一层上的氧化硅钽层和覆盖在氧化硅钽层上的氮化硅钽层，且其中第一层是铬层或钌层中之一。 | ||
| 地址 | 美国得克萨斯 | ||