| 摘要 |
Es wird eine Siliziumkarbid-Halbleitervorrichtung angegeben, die eine höhere Umschaltgeschwindigkeit bei einfacherer Konfiguration ermöglicht. Eine Siliziumkarbid-Halbleitervorrichtung (1) umfasst: eine Gate-Elektrode (30), die auf einem Gate-Isolierfilm vorgesehen ist; und eine Gate-Auflage (59). Die Gate-Elektrode (30) umfasst einen ersten kammzahnförmigen Elektrodenabschnitt (36), der sich von außerhalb der Gate-Auflage (59) zu einem Umfangsrandabschnitt der Gate-Auflage (59) erstreckt und mit der Gate-Auflage (59) an dem Umfangsrandabschnitt der Gate-Auflage (59), in einer Aufsicht betrachtet, überlappt. Ein p+-Bereich (17a) umfasst: einen zentralen Abschnitt (25), der mit der Gate-Auflage (59), in der Aufsicht betrachtet, überlappt; und einen Randabschnitt (26), der sich von dem zentralen Abschnitt (25) zu der Außenseite der Gate-Auflage (59) erstreckt, wobei der Randabschnitt (26) derart vorgesehen ist, dass er dem ersten kammzahnförmigen Elektrodenabschnitt (36) der Gate-Elektrode (30) mit einem dazwischen befindlichen Zwischenraum zugewandt ist. |
