发明名称 |
双层转移方法 |
摘要 |
一种转移层(1)的方法,包括:a)提供以结合能E0与初始基板(4)整体接合的层(1);b)根据中间结合能Ei,使所述层(1)的正面(8)结合到中间基板(5);c)从所述层(1)分离所述初始基板(4);e)根据最终结合能Ef,使背面(9)结合至最终基板(11);以及f)从所述层(1)剥离所述中间基板(5)以将所述层(1)转移到所述最终基板(11);步骤b)包括形成硅氧烷键Si‑O‑Si的步骤,在第一无水环境中进行步骤c)并且在第二潮湿环境中进行步骤f),使得所述中间结合能Ei在步骤c)中取第一值Ei1和在步骤f)中取第二值Ei2,其中Ei1>E0且Ei2<Ef。 |
申请公布号 |
CN103875062B |
申请公布日期 |
2016.08.03 |
申请号 |
CN201280048909.3 |
申请日期 |
2012.09.20 |
申请人 |
法国原子能及替代能源委员会 |
发明人 |
弗兰克·富尔内尔;马克西姆·阿古德;杰里米·达 丰塞卡;胡贝特·莫里索 |
分类号 |
H01L21/18(2006.01)I;H01L21/20(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/18(2006.01)I |
代理机构 |
北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 |
代理人 |
余刚;张英 |
主权项 |
一种用于层(1)的双层转移方法,所述层特别是由半导体、绝缘或金属材料组成,所述双层转移方法包括以下步骤:a)提供接合到初始基板(4)的层(1),在所述层(1)和所述初始基板(4)之间具有结合能E0;b)根据中间结合能Ei,使所述层(1)的正面(8)结合到中间基板(5)上;c)从所述层(1)分离所述初始基板(4)以暴露所述层(1)的背面(9);e)根据最终结合能Ef,使背面(9)结合至最终基板(11)上;以及f)从所述层(1)剥离所述中间基板(5)以将所述层(1)转移到所述最终基板(11)上;步骤b)包括形成硅氧烷键Si‑O‑Si的步骤,在第一无水环境中进行步骤c)并且在第二湿环境中进行步骤f),使得所述中间结合能Ei在步骤c)中取第一值Ei1和在步骤f)中取第二值Ei2,其中Ei1>E0且Ei2<Ef。 |
地址 |
法国巴黎 |