Verfahren zur Herstellung eines Silizium-Ingots sowie Verfahren zur Herstellung von Silizium-Wafern

摘要

Verfahren zur Herstellung eines Silizium-Ingots (9) umfassend die folgenden Schritte: a. Bereitstellen eines Tiegels (1) zur Aufnahme einer Silizium-Schmelze (2) mit i. einer Bodenwand (3), ii. mindestens einer Seitenwand (4) und iii. einer Längsachse (5), b. Vorgabe von Kristalliten in mindestens einem ersten Bereich (7) der Bodenwand (3), i. wobei der mindestens eine erste Bereich (7) durch mindestens einen zweiten Bereich (8) von der Seitenwand (4) beabstandet ist, ii. wobei die Kristallite im mindestens einen ersten Bereich (7) eine vorgegebene erste Kristall-Orientierung aufweisen, iii. wobei die erste Kristall-Orientierung ausgewählt ist aus der Gruppe der (111)-Orientierung und der (110)-Orientierung, c. Bereitstellen einer Silizium-Schmelze (2) im Tiegel (1), d. gerichtetes Erstarren der Silizium-Schmelze (2) im Tiegel (1), e. wobei die Kristall-Orientierung der Kristallite im ersten Bereich (7) derart ausgewählt ist, dass eine Versetzungsbildung im an den mindestens einen ersten Bereich (7) in Richtung der Längsachse (5) angrenzenden Bereich weniger wahrscheinlich ist als im an den mindestens einen zweiten Bereich (8) in Richtung der Längsachse (5) angrenzenden Bereich. f. wobei die Kristall-Orientierung der Kristallite im ersten Bereich (7) derart ausgewählt ist, dass ein Gleitfaktor, definiert als n1 oder n1 S1, wobei n1 die Anzahl der primären Gleitsysteme der Kristall-Orientierung der Kristallite im ersten Bereich (7) und S1 deren Schmid-Faktor angibt, kleiner ist als ein Mittelwert des entsprechenden Parameters n2 oder n2 S2 der Kristallite im zweiten Bereich (8), n1 < Mittelwert (n2) oder n1 S1 < Mittelwert (n2 S2).