发明名称 Semiconductor Light Emitting Device and Manufacturing Method of The Same
摘要 본 발명은 반도체 발광소자 및 이를 제조방법에 관한 것으로서, 본 발명의 일 측면은 서로 대향하는 제1 및 제2 주면을 갖는 기판을 마련하여 상기 제1 주면에 제1 요철 구조를 형성하는 단계와, 상기 기판의 제1 주면 상에 희생층을 형성하는 단계와, 상기 희생층 상에 상기 희생층 상면 중 일부를 노출시키도록 오픈 영역을 갖는 마스크를 형성하는 단계와, 상기 오픈 영역을 통하여 상기 희생층 및 상기 기판을 식각하여 상기 기판에 제2 요철 구조를 형성하는 단계와, 상기 희생층과 상기 마스크를 상기 기판으로부터 제거하는 단계 및 상기 기판의 제1 및 제2 요철 구조 상에 발광적층체를 형성하는 단계를 포함하는 반도체 발광소자 제조방법을 제공한다.
申请公布号 KR101673955(B1) 申请公布日期 2016.11.08
申请号 KR20100063790 申请日期 2010.07.02
申请人 삼성전자주식회사 发明人 김태훈;김기범;허원구;김영선;김기성
分类号 H01L33/22;H01L33/00 主分类号 H01L33/22
代理机构 代理人
主权项
地址