外延薄膜结构的激光剥离

摘要

此文献提供了用于外延剥离的新途径。代替使用被选择性地化学蚀刻掉的牺牲层，该牺牲层选择性地吸收没有被该结构的其他部分吸收的光。在此类光足够强的照射下，该牺牲层被机械地削弱、熔化、和/或破坏，由此实现外延剥离。有待释放的半导体区域的周界是通过侧向图案化来(部分地或完全地)限定的，并且有待释放的部分在激光辐射之前还附着至支撑构件上。最终结果是半导体区域从其基底上去除并且附着至该支撑构件上。

主权项

一种用于从基底去除器件层的方法，所述方法包括：提供具有基底组分的基底；在所述基底上布置牺牲层；在所述牺牲层上布置一个或多个半导体器件层以创建多层堆叠物；将所述半导体器件层进行图案化以便部分或完全地限定释放周界；布置被粘附至所述半导体器件层上的固体构件；向所述多层堆叠物提供一个或多个激光辐射脉冲，其中所述激光辐射脉冲在所述牺牲层中的吸收提供了所述半导体器件层从所述基底的烧蚀释放，并且其中激光能量脉冲相对于所述基底和/或所述半导体器件层被所述牺牲层选择性地吸收；由此所述半导体层的被释放部分与所述基底分离并且粘附至所述固体构件上。