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Verfahren zum Ätzen einer Öffnung in eine Dielektrikumsschicht, welches umfasst: Einleiten von Gasen in eine Kammer, wobei die Gase ein Sauerstoffquellengas, ein Inertgas, C2F4, sowie C4F6, C4F8 oder ein Gemisch von C4F6 und C4F8 umfassen, wobei C4F6:C2F4, C4F8:C2F4, oder C4F8 und C4F6:C2F4 in einem Verhältnis von etwa 0,25:1 bis 1,5:1 vorliegen, das Bilden eines Plasmas aus den Gasen in der Kammer; und das Ätzen der Öffnung durch die Dielektrikumsschicht zu einem darunter liegenden Substrat mit dem, wobei während des Ätzens eine gleichförmige Polymerschicht entlang der Seitenwände der Öffnung gebildet und aufrechterhalten wird, und wobei das Sauerstoffquellengas mit Kohlenstoff und Fluor enthaltenden Ionen in dem Plasma reagiert, um die Abscheidung von Polymer am Boden der Öffnung während des Ätzens zu unterdrücken. |
