非易失性存储装置

摘要

本发明提供了一种非易失性存储装置及其操作方法。根据示例性实施例，所述非易失性存储装置包括：基底；至少一个串，从基底垂直延伸；位线电流控制电路，经至少一条位线连接到所述至少一个串。所述至少一个串可以包括含有多晶硅的沟道。位线电流控制电路可被构造为当温度减小时根据温度的减小来增加提供给至少一条位线的电流量，以使流过所述至少一个串的沟道的电流增加。

主权项

一种非易失性存储装置，包括：基底；至少一个串，从基底垂直延伸，所述至少一个串包括含有多晶硅材料的沟道；位线电流控制电路，经至少一条位线连接到所述至少一个串，其中，位线电流控制电路被构造为根据温度的减小来增加提供给所述至少一条位线的电流量，以使当温度减小时流过所述至少一个串的沟道的电流增加，其中，位线电流控制电路包括：温度检测器，被构造为产生指示非易失性存储装置的温度是否低于参考温度的选择信号；参考电压产生器，被构造为在控制逻辑的控制下产生参考电压；温度补偿器，被构造为接收参考电压并且产生具有根据温度变化而变化的电压的信号；以及选择器，被构造为选择参考电压和根据温度变化而变化的电压之一，以输出具有选择的电压的控制信号。