損傷を受けた低誘電率膜のポア封止のためのＵＶ支援光化学気相堆積

摘要

本発明の実施形態は概して、基板上に形成された誘電体層の表面のポアを封止するための方法を提供する。一実施形態では、方法は、基板上に形成された誘電体層を、一般式ＣｘＨｙＯで表される一化合物を含有し、この式で、ｘは１から１５までの範囲を有し、ｙは２から２２までの範囲を有し、かつ、ｚは１から３までの範囲を有する、第１ポア封止剤に曝露することと、誘電体層上に第１封止層を形成するために、第１ポア封止剤の雰囲気中で、基板をＵＶ放射に曝露することとを含む。【選択図】図４