发明名称 |
一种背面钝化晶体硅太阳电池的背电极结构及所用网版 |
摘要 |
本发明属于太阳能技术领域,具体涉及一种背面钝化晶体硅太阳电池背电极结构以及所用网版。该背面钝化晶体硅太阳电池的背电极结构,包括置于太阳电池硅基片背面的钝化介质膜,置于钝化介质膜上的背银电极和背铝电极,所述背银电极内部设有镂空区域,所述背铝电极与背银电极形成互补,所述背银电极与钝化介质膜的开膜区域不重叠或部分重叠,适用于背面钝化点接触或线接触晶体硅太阳电池。该背电极结构大大提高电池的背面钝化效果,开路电压以及短路电流等电学性能均得到有效改善;此外,该背电极结构制备成本低,能方便地与常规工业生产线相匹配,易于实现大批量的工业化生产。 |
申请公布号 |
CN103280468B |
申请公布日期 |
2016.08.24 |
申请号 |
CN201310217988.2 |
申请日期 |
2013.06.04 |
申请人 |
中山大学 |
发明人 |
沈辉;刘斌辉;刘家敬 |
分类号 |
H01L31/0224(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/0224(2006.01)I |
代理机构 |
广州新诺专利商标事务所有限公司 44100 |
代理人 |
曹爱红 |
主权项 |
一种背面钝化晶体硅太阳电池的背电极结构,其特征在于:包括置于太阳电池硅基片背面的钝化介质膜,置于钝化介质膜上的背银电极和背铝电极,所述背银电极内部设有镂空区域,所述背铝电极与背银电极形成互补,所述背银电极与钝化介质膜的开膜区域不重叠,适用于背面钝化点接触或线接触晶体硅太阳电池。 |
地址 |
510006 广东省广州市大学城外环东路132号中山大学工学院C501 |