发明名称 |
Shallow trench isolation structure for a bipolar transistor |
摘要 |
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申请公布号 |
EP1094514(B1) |
申请公布日期 |
2007.08.29 |
申请号 |
EP20000122610 |
申请日期 |
2000.10.17 |
申请人 |
NEC ELECTRONICS CORPORATION |
发明人 |
SUZUKI, HISAMITSU |
分类号 |
H01L21/762;H01L29/73;H01L21/331;H01L21/76;H01L21/761;H01L21/8222;H01L21/8249;H01L27/06;H01L29/06;H01L29/732 |
主分类号 |
H01L21/762 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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