发明名称 基于架空金属线桥的微机电系统磁执行器的制作方法
摘要 本发明涉及微机电系统微型执行器技术领域,公开了一种基于架空金属线桥的微机电系统磁执行器的制作方法,包括:A.在硅晶片上下表面淀积氮化硅薄膜;B.保护正面,背面光刻,刻蚀形成氮化硅薄膜窗口;C.正面光刻,刻蚀形成氮化硅薄膜执行器图形;D.正面光刻,打底胶,电子束蒸发Cr/Au,剥离形成金属线圈及电极;E.正面光刻,打底胶,电镀金,形成架空金属线桥桥柱;F.正面光刻,打底胶,电子束蒸发Cr/Au,剥离形成架空金属线桥;G.腐蚀背面体硅,释放执行器。利用本发明,简化了制作工艺,克服了用于流体控制的微执行器驱动力小、存在应力、热效应等问题。
申请公布号 CN101376490A 申请公布日期 2009.03.04
申请号 CN200710121075.5 申请日期 2007.08.29
申请人 中国科学院微电子研究所 发明人 易亮;欧毅;陈大鹏;景玉鹏;叶甜春
分类号 B81C1/00(2006.01) 主分类号 B81C1/00(2006.01)
代理机构 中科专利商标代理有限责任公司 代理人 周国城
主权项 1、一种基于架空金属线桥的微机电系统磁执行器的制作方法,其特征在于,该方法包括:A、在硅晶片上下表面淀积氮化硅薄膜;B、保护正面,背面光刻,刻蚀形成氮化硅薄膜窗口;C、正面光刻,刻蚀形成氮化硅薄膜执行器图形;D、正面光刻,打底胶,电子束蒸发Cr/Au,剥离形成金属线圈及电极;E、正面光刻,打底胶,电镀金,形成架空金属线桥桥柱;F、正面光刻,打底胶,电子束蒸发Cr/Au,剥离形成架空金属线桥;G、腐蚀背面体硅,释放执行器。
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