发明名称 | 基于架空金属线桥的微机电系统磁执行器的制作方法 | ||
摘要 | 本发明涉及微机电系统微型执行器技术领域,公开了一种基于架空金属线桥的微机电系统磁执行器的制作方法,包括:A.在硅晶片上下表面淀积氮化硅薄膜;B.保护正面,背面光刻,刻蚀形成氮化硅薄膜窗口;C.正面光刻,刻蚀形成氮化硅薄膜执行器图形;D.正面光刻,打底胶,电子束蒸发Cr/Au,剥离形成金属线圈及电极;E.正面光刻,打底胶,电镀金,形成架空金属线桥桥柱;F.正面光刻,打底胶,电子束蒸发Cr/Au,剥离形成架空金属线桥;G.腐蚀背面体硅,释放执行器。利用本发明,简化了制作工艺,克服了用于流体控制的微执行器驱动力小、存在应力、热效应等问题。 | ||
申请公布号 | CN101376490A | 申请公布日期 | 2009.03.04 |
申请号 | CN200710121075.5 | 申请日期 | 2007.08.29 |
申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 易亮;欧毅;陈大鹏;景玉鹏;叶甜春 |
分类号 | B81C1/00(2006.01) | 主分类号 | B81C1/00(2006.01) |
代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 周国城 |
主权项 | 1、一种基于架空金属线桥的微机电系统磁执行器的制作方法,其特征在于,该方法包括:A、在硅晶片上下表面淀积氮化硅薄膜;B、保护正面,背面光刻,刻蚀形成氮化硅薄膜窗口;C、正面光刻,刻蚀形成氮化硅薄膜执行器图形;D、正面光刻,打底胶,电子束蒸发Cr/Au,剥离形成金属线圈及电极;E、正面光刻,打底胶,电镀金,形成架空金属线桥桥柱;F、正面光刻,打底胶,电子束蒸发Cr/Au,剥离形成架空金属线桥;G、腐蚀背面体硅,释放执行器。 | ||
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