| 摘要 |
보론 및 카본 함유 막들의 퇴적 방법들이 제공된다. 일부 실시예들에 있어서, 컨포말리티 및 식각 속도와 같은 요구되는 특성들을 갖는 B,C 막들의 퇴적 방법이 제공된다. 하나 또는 그 이상의 보론 및/또는 카본 함유 전구체들이 약 400℃보다 작은 온도에서 기판 상에서 분해될 수 있다. 보론 및 카본 함유 막들 중 하나 또는 그 이상은 약 30 옹스트롬보다 작은 두께를 가질 수 있다. 반도체 기판의 도핑 방법들이 제공된다. 반돛 기판의 도핑은 상기 기판을 약 300℃ 내지 약 450℃의 공정 온도에서, 보론, 카본 및 수소를 포함하는 기상 보론 전구체(vapor phase boron precursor)에 노출시킴에 의해 상기 반도체 기판 상에 보론 및 카본 막을 퇴적하는 단계, 및 상기 보론 및 카본 막을 약 800℃ 내지 약 1200℃의 온도에서 어닐링하는 단계를 포함할 수 있다. |
