发明名称 |
. METHOD FOR MANUFACTURING FLEXABLE LED |
摘要 |
본 발명에 따른 플렉시블 질화갈륨 발광다이오드 제조방법은 (a) p-형 질화갈륨 박막층과 n-형 질화갈륨 박막층을 사파이어 층에 증착하는 단계; (b) p-형 질화갈륨 박막층에 하부 전극을 형성시키고, 하부 전극에 구리판을 도금하는 단계; (c) 사파이어 층으로부터 레이저 리프트-오프 공법을 통해 p-n 접합 질화갈륨 박막을 분리하는 단계; (d) 분리된 p-n 접합 질화갈륨 박막에 포토레지스트와 트렌치 에칭 마스크를 이용하여 트렌치 에칭 패턴을 제작하는 단계; (e) 트렌치 에칭 패턴대로 분리된 p-n 접합 질화갈륨 박막에 트렌치 에칭을 하는 단계; (f) 분리된 p-n 접합 질화갈륨 박막에 포토레지스트와 포토리소그래피 공정을 이용하여 상부 전극 및 상부 전극 패턴을 부착 형성하는 단계; 및 (g) 분리된 p-n 접합 질화갈륨 박막으로 제작된 질화갈륨 발광다이오드에서 포토레지스트를 제거하는 단계;를 포함하여, 스트레인에 따른 출력 전류와 전자 발광 효율 상승이 가능하고, 벤딩에 따른 에너지 밴드 휨 현상을 이용함으로써 전자와 정공의 재결합률을 상승시킬 수 있는 효과가 있다. |
申请公布号 |
KR20160122340(A) |
申请公布日期 |
2016.10.24 |
申请号 |
KR20150051985 |
申请日期 |
2015.04.13 |
申请人 |
UNIST(ULSAN NATIONAL INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY) |
发明人 |
BAIK, JEONG MIN;YE, BYEONG UK;LEE, JAE WON |
分类号 |
H01L33/20;H01L21/027;H01L33/36 |
主分类号 |
H01L33/20 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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