发明名称 VERFAHREN ZUM VEREINZELN EINES HALBLEITERBAUSTEINS
摘要 Verfahren zum Vereinzeln eines Halbleiterbausteins von einem Träger, wobei das Verfahren folgendes umfasst: Bereitstellen eines Rahmens (100) mit einer ersten Fläche und einer gegenüberliegenden zweiten Fläche, wobei der Rahmen einen Systemträger (26) aufweist, der eine Mehrzahl von Zuleitungen (40), die Eingangs- und Ausgangsanschlüsse bereitstellen, und vier Haltestege (32), die den Systemträger (26) mit dem Rahmen (100) verbinden, aufweist; Anbringen eines Chips zum elektrischen Kommunizieren mit der ersten Fläche des Rahmens; Kapseln des Chips und eines Abschnitts der ersten Fläche des Rahmens mit einem elektrisch isolierenden Material, um den Halbleiterbaustein zu definieren; dann Entfernen von Abschnitten des Rahmens entlang Seiten des Systemträgers (26), so dass die Mehrzahl von Zuleitungen (40) vollständig abgetrennt und gegenüberliegende Enden (90, 92, 94, 96) des Systemträgers exponiert werden, wobei das Exponieren von Enden des Systemträgers des Halbleiterbausteins beinhaltet, die vier Haltestege (32) intakt zu lassen, die jeweils zwischen einer Ecke des Halbleiterbausteins und dem Rahmen verlaufen; dann Plattieren eines Metalls über den exponierten Enden (90, 92, 94, 96) des Systemträgers und Abtrennen der Haltestege (32) zwischen den Ecken des Halbleiterbausteins von dem Rahmen, um den Halbleiterbaustein von dem Rahmen zu vereinzeln.
申请公布号 DE102008046095(B4) 申请公布日期 2016.08.04
申请号 DE20081046095 申请日期 2008.09.05
申请人 Infineon Technologies AG 发明人 Lehmann, Thomas
分类号 H01L21/58;H01L21/52;H01L23/043;H01L23/492 主分类号 H01L21/58
代理机构 代理人
主权项
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