用于半导体处理的电子束增强解耦源

摘要

半导体衬底处理系统包括处理室和限定为在所述处理室中支撑衬底的衬底支撑件。该系统还包括限定为与所述处理室分隔的等离子体室。所述等离子体室被限定来产生等离子体。该系统还包括流体连接所述等离子体室和所述处理室的多个流体传输通路。所述多个流体传输通路被限定来将所述等离子体的反应性成分从所述等离子体室供应到所述处理室。该系统进一步包括用于将电子注入到所述处理室中的电子注入设备以控制所述处理室内的电子能量分布以便进而控制所述处理室内的离子对自由基的密度比例。在一实施方式中，电子束源被限定来在所述衬底支撑件之上且跨越所述衬底支撑件传送电子束穿过所述处理室。

主权项

一种半导体衬底处理系统，其包括：处理室；限定为在所述处理室中支撑衬底的衬底支撑件；限定为与所述处理室分隔的等离子体室，所述等离子体室被限定来产生等离子体；流体连接所述等离子体室和所述处理室的多个流体传输通路，所述多个流体传输通路被限定来将所述等离子体的反应性成分从所述等离子体室供应到所述处理室；电子束源，其被限定来产生电子束并在所述衬底支撑件之上且跨越所述衬底支撑件传送所述电子束穿过所述处理室，其中所述电子束源包括位于衬底支撑件的周界之外且在所述衬底支撑件之上的中空阴极，所述中空阴极具有朝向所述衬底支撑件之上的所述处理室的区域的出口；设置在所述衬底支撑件的周界之外且在所述衬底支撑件之上的多个导电网格，其中所述多个导电网格中的给定的一个被设置在所述中空阴极的所述出口和所述衬底支撑件之上的所述处理室的所述区域之间以促进从所述中空阴极萃取电子；以及连接到所述多个导电网格的加热器以控制所述多个导电网格的温度。