SEMICONDUCTOR CONSTRUCTIONS AND METHODS OF FORMING SEMICONDUCTOR CONSTRUCTIONS

摘要

일부 실시예는 반도체 구조를 포함한다. 이 구조는 반도체 다이를 관통하여 연장하는 전기 전도성 포스트를 갖는다. 포스트는 다이의 후표면 위에 상위 표면을 가지며, 후표면과 상위 표면 사이를 연장하는 측벽 표면을 갖는다. 감광성 물질이 후표면 위에 그리고 측벽 표면을 따라 있다. 전기 전도성 물질이 포스트의 상위 표면에 바로 닿아 있다. 전기 전도성 물질은 포스트 위에 캡으로서 구성된다. 캡은, 포스트를 넘어서 측방향 외부로 연장하며 포스트를 에워싸는 에지를 갖는다. 에지 전체는 감광성 물질 바로 위에 있다. 일부 실시예는, 웨이퍼-관통 상호연결 인근에 감광성 물질을 갖고, 상호연결의 상위 표면 위에 그리고 그에 바로 닿아 있으며, 감광성 물질의 상위 표면에 바로 닿아 있는 전기 전도성 물질 캡을 갖는 반도체 구조를 형성하는 방법을 포함한다.