<p>Die Erfindung betrifft einen organo-magnetoresistiven Sensor, Herstellungsverfahren und Verwendungen dazu. Diese werden beispielsweise als Sensoren zur Positions- und Strommessung oder zur Messung magnetischer Felder (Kompass) auf Basis magnetischer Schichtstrukturen (AMR/GMR/TMR) oder als Hallsensoren eingesetzt. Erfindungsgemäß werden anstelle der bekannten Stromsensoren solche auf organischer Basis und insbesondere solche auf Basis organischen Transistoren eingesetzt.</p>
