| 发明名称 | 反向非易失性存储装置、堆叠模块及该装置的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种反向非易失性存储装置、堆叠模块及该装置的制造方法。具体地讲，示例实施例提供了一种可通过堆叠来集成的非易失性存储装置、堆叠模块以及该非易失性存储装置的制造方法。在根据示例实施例的非易失性存储装置中，可在基底上形成至少一个底部栅电极。在该至少一个底部栅电极上可形成至少一个电荷存储层，在该至少一个电荷存储层上可形成至少一个半导体沟道层。 | ||
| 申请公布号 | CN101378076A | 申请公布日期 | 2009.03.04 |
| 申请号 | CN200810131345.5 | 申请日期 | 2008.08.06 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 殷华湘;朴永洙;金善日 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01);H01L29/788(2006.01);H01L29/792(2006.01);H01L27/115(2006.01);H01L27/12(2006.01);H01L21/336(2006.01);H01L21/28(2006.01);H01L21/8247(2006.01);H01L21/84(2006.01) | 主分类号 | H01L29/78(2006.01) |
| 代理机构 | 北京铭硕知识产权代理有限公司 | 代理人 | 郭鸿禧;杨静 |
| 主权项 | 1、一种具有反向结构的非易失性存储装置，所述非易失性存储装置包括:至少一个底部栅电极，在基底上；至少一个电荷存储层，在所述至少一个底部栅电极上；至少一个半导体沟道层，在所述至少一个电荷存储层上。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道水原市 | ||