发明名称 Method for Fabricating Standard Wafer
摘要 실시예에 따른 표준 웨이퍼 제조 방법은, 실시예에 따른 표준 웨이퍼 제조 방법은, 금속 불순물이 포함된 소정 농도의 오염 용액을 제조하는 단계, 웨이퍼 에지부의 산화막을 제거하는 단계, 상기 웨이퍼 에지부의 국부 영역에 상기 오염 용액을 복수개의 오염 방울 형태로 부착시키는 단계 및 상기 오염 방울을 자연 건조시키는 단계를 포함한다. 따라서, 정량적으로 실리콘 웨이퍼의 에지부에만 목표로 하는 농도의 금속 오염이 일어나기 때문에, 웨이퍼 에지부의 금속 불순물 농도를 측정 및 분석하는 기술의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
申请公布号 KR101629069(B1) 申请公布日期 2016.06.09
申请号 KR20130165974 申请日期 2013.12.27
申请人 주식회사 엘지실트론 发明人 최준석;김광석
分类号 H01L21/20;H01L21/322 主分类号 H01L21/20
代理机构 代理人
主权项
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