发明名称 | 一种制造薄膜晶体管和电子器件的方法 | ||
摘要 | 一种多室系统,在半导体器件如半导体集成电路的制造中,提供一种高清洁度的处理。该系统包括多个真空设备(如膜形成设备、腐蚀设备、热处理设备和预备室),用于制造半导体器件。这些真空设备中至少一个是采用激光的。 | ||
申请公布号 | CN1881550A | 申请公布日期 | 2006.12.20 |
申请号 | CN200610101189.9 | 申请日期 | 1994.07.02 |
申请人 | 株式会社半导体能源研究所 | 发明人 | 山崎舜平;武内晃;竹村保彦;岛田浩行 |
分类号 | H01L21/336(2006.01) | 主分类号 | H01L21/336(2006.01) |
代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 刘杰 |
主权项 | 1.一种制造半导体器件的方法,包括下列步骤:在第一室的含氧气氛中,利用沿照射表面上的一个方向延伸的激光照射在基片上形成的半导体膜;将基片从所述第一室运送到第二室;在所述第二室中的半导体膜上形成栅绝缘膜;其中所述第一室和所述第二室经预备室彼此相连。 | ||
地址 | 日本神奈川县厚木市 |