一种复合栅、栅源自隔离VDMOS、IGBT功率器件

摘要

本实用新型涉及一种复合栅、栅源自隔离VDMOS、IGBT功率器件，属于微电子技术领域，特征在于在源区与多晶硅栅层之间除设置有热氧化SiO₂栅氧层外，还增加设置了Si₃N₄层，两者结合构成复合栅，有助于提高栅的成品率，且源栅隔离层采用在多晶硅栅层表面上直接热氧化生成的工艺技术，利用Si₃N₄的氧化速度比多晶硅的氧化速度慢10倍以上、可以快速屏蔽栅区窗口、而在自身表面上只能生成便于去除的极薄氧化层的特点，有助于简化制造工艺、实现栅源自隔离和确保隔离层的生成。与现有技术的同类功率器件及其制造工艺技术相比，具有结构简单、工序简化，制造方便且成本低和产品质量易保证等诸多优点，具有很强的经济性和实用性。

主权项

1.一种复合栅、栅源自隔离VDMOS、IGBT功率器件，由金属底层(1)、N+衬底层(2)、N-外延层(3)、P-区(4)、P+区(5)、N+区(6)、热氧化SiO2栅氧层(7)、多晶硅栅层(8)、源栅隔离层(9)和金属表层(10)组成，其特征在于：在源区与多晶硅栅层(8)之间除设置有热氧化SiO2栅氧层(7)外，还增加设置有Si3N4层(11)；源栅隔离层(9)系单层结构、由设置在多晶硅栅层(8)和金属表层(10)之间的SiO2隔离层(12)充任。