发明名称 Halbleiterchip mit Beschädigungs-Detektierschaltung und ein Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterchips
摘要 Es wird ein Halbleiterchip mit einer Stromquelle (50), einer Detektierschaltung (OP1) und mindestens einem aktiven Bauelement (T0, T1, T2, T3) bereitgestellt. Dabei sind die Stromquelle (50) und das aktive Bauelement (S1, S2, S3, S4) so in Reihe geschaltet, dass die Stromquelle (50) zwischen einem ersten Potential (VCC) und einem Verbindungsknoten (vsense) und das aktive Bauelement zwischen den Verbindungsknoten (vsense) und einem zweiten Potential geschaltet sind. Die Verbindung zwischen dem Verbindungsknoten (vsense) und dem Bauelement und/oder zwischen dem Bauelement und zweiten Potential erfolgt über mindestens eine Verbindungsleiterbahn (L0, L1, L2, L3, L4). Der Verbindungsknoten (vsense) ist mit einem Eingang der Detektierschaltung (OP1) gekoppelt und die Detektierschaltung (OP1) detektiert Beschädigungen in dem Halbleiterchip anhand des Potentials an dem Verbindungsknoten (vsense).
申请公布号 DE102006037633(A1) 申请公布日期 2008.03.20
申请号 DE20061037633 申请日期 2006.08.10
申请人 INFINEON TECHNOLOGIES AG 发明人 TSCHMELITSCH, ANDREAS;ZOJER, GERHARD;HERZELE, GUENTER;HOLL, GUENTER
分类号 H01L27/04;H01L21/301 主分类号 H01L27/04
代理机构 代理人
主权项
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