| 发明名称 |
Method for producing a DRAM or FeRAM memory with two capacitors per access transistor |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
EP1352430(B1) |
申请公布日期 |
2008.09.10 |
| 申请号 |
EP20010984718 |
申请日期 |
2001.12.14 |
| 申请人 |
QIMONDA AG |
发明人 |
KASTNER, MARCUS;MIKOLAJICK, THOMAS |
| 分类号 |
H01L21/8242;H01L21/8246;H01L21/8247;H01L27/06;H01L27/105;H01L27/108;H01L27/115 |
主分类号 |
H01L21/8242 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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