| 发明名称 | 聚合物微阵列支持体、形成微特征的方法及一种光学检定装置 | ||
| 摘要 | 本发明包含一种用于光学检定装置(2)的聚合物微阵列支持体(1)，所述检定装置(2)包含具有适用于检测从所述支持体发出的光的光学装置(3、4、5)。所述微阵列支持体设有一些包含表面扩大图案(5)的微特征，即一些具有限定深度(8)的凹槽。该深度选定为所述深度与所述支持体的厚度变化值(7)之和与所述光学装置的焦深基本相当。 | ||
| 申请公布号 | CN100449314C | 申请公布日期 | 2009.01.07 |
| 申请号 | CN200480013555.4 | 申请日期 | 2004.05.18 |
| 申请人 | 阿米克股份公司 | 发明人 | T·林德斯特伦;O·厄曼 |
| 分类号 | G01N33/53(2006.01);G01N21/17(2006.01);C12Q1/00(2006.01) | 主分类号 | G01N33/53(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 杨凯;王忠忠 |
| 主权项 | 1.一种用于光学检定装置(2)的聚合物微阵列支持体(1)，所述检定装置包含具有适用于检测从所述支持体(1)发出的光的焦深的光学装置，所述支持体的厚度(7)沿支持体表面区域按等于支持体的最大厚度与最小厚度之差的厚度变化值变化，且所述支持体上设有包含一种表面扩大图案(5)的选定的微特征，其特征在于：所述表面扩大图案(5)包含一些设为具有与所述光学装置的所述焦深和所述支持体的厚度变化值相适配的深度(8)的凹槽，所述选定的深度(8)与所述支持体的厚度变化值之和与所述光学装置的焦深基本相当。 | ||
| 地址 | 瑞典乌普萨拉 | ||