| 发明名称 | 用于减少应变硅中的缺陷的基于氮的植入 | ||
| 摘要 | 一种制作于半导体衬底(202)上的晶体管(200)，其中增强或另外调整所述衬底的屈服强度或弹性。在所述晶体管上方形成应变诱发层(236)以对所述晶体管施加应变来改变晶体管的操作特性，且更特定来说增强所述晶体管内载流子的移动性。增强载流子移动性允许晶体管尺寸减小，同时还允许晶体管按需地操作。然而，与制作晶体管相关联的高应变及温度导致有害的塑性变形。因此，通过将氮并入到硅衬底中且更特定来说并入到所述晶体管的源极/漏极延展区域(220、222)及/或源极/漏极区域(228、230)来调整所述衬底的屈服强度。可在晶体管制作期间通过将添加氮作为源极/漏极延展区域形成及/或源极/漏极区域形成的一部分而容易地并入氮。所述衬底的经增强屈服强度减轻晶体管因应变诱发层所致的塑性变形。 | ||
| 申请公布号 | CN101379601A | 申请公布日期 | 2009.03.04 |
| 申请号 | CN200680041561.X | 申请日期 | 2006.11.03 |
| 申请人 | 德州仪器公司 | 发明人 | 斯里尼瓦桑·查克拉瓦蒂;P·R·奇丹巴拉姆;拉杰什·哈曼卡;浩文·布;道格拉斯·T·格里德 |
| 分类号 | H01L21/31(2006.01);H01L29/06(2006.01);H01L23/58(2006.01);H01L29/40(2006.01) | 主分类号 | H01L21/31(2006.01) |
| 代理机构 | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 刘国伟 |
| 主权项 | 1、一种形成包括晶体管的半导体装置的方法，其包含：调整半导体衬底的屈服强度；在所述半导体衬底上形成所述晶体管；及通过所述晶体管的一个或一个以上部分内的诱发应变来形成应变诱发层。 | ||
| 地址 | 美国得克萨斯州 | ||