| 摘要 |
Es ist eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Siliziumkarbid-Halbleitervorrichtung zur Verfügung zu stellen, die einen Kanalwiderstand reduziert und eine Zuverlässigkeit einer Gate-Isolierungsschicht erhöht. Die vorliegende Erfindung weist einen Graben 3, der teilweise in einer Oberflächenschicht einer epitaxischen Schicht 2 ausgebildet ist, eine Wannenschicht 4, die entlang von Seitenoberflächen und einer unteren Oberfläche des Grabens gebildet ist, einen Source-Bereich 5, der in einer Oberflächenschicht der Wannenschicht auf der unteren Oberfläche des Grabens ausgebildet ist, eine Gate-Isolierungsschicht (7) und eine Gate-Elektrode 8 auf. Die Gate-Isolierungsschicht ist entlang der Seitenoberflächen des Grabens ausgebildet und weist ein Ende auf, das so ausgebildet ist, dass es den Source-Bereich erreicht. Die Gate-Elektrode ist entlang der Seitenoberflächen des Grabens und auf der Gate-Isolierungsschicht ausgebildet. |
