发明名称 覆晶式发光二极管及其制造方法
摘要 本发明有关于一种覆晶式发光二极管及其制造方法。覆晶式发光二极管包括第一金属片、第二金属片、接合材料以及发光二极管芯片。第一金属片与第二金属片之间具有一间隙,接合材料注入到此间隙当中并被固化,以将第一金属片与第二金属片接合在一起。固化后的接合材料具有一顶面,其与第一金属片与第二金属片的顶面齐平。发光二极管芯片透过焊料分别第一金属片的顶面和第二金属片的顶面接合,其中,发光二极管芯片具有一正极和一负极,其分别与第一金属片与第二金属片上的电路图案电连接。
申请公布号 CN105990494A 申请公布日期 2016.10.05
申请号 CN201510085454.8 申请日期 2015.02.17
申请人 黄秀璋 发明人 黄秀璋
分类号 H01L33/48(2010.01)I;H01L33/64(2010.01)I;H01L33/62(2010.01)I 主分类号 H01L33/48(2010.01)I
代理机构 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人 陈亮
主权项 一种覆晶式发光二极管,包括:第一金属片;第二金属片,与该第一金属片之间具有一间隙;接合材料,该接合材料被注入到该第一金属片与该第二金属片之间的该间隙中并固化,以将该第一金属片与该第二金属片接合在一起,且固化的该接合材料具有一顶面,该顶面与该第一金属片与该第二金属片的顶面齐平;以及发光二极管芯片,其透过焊料分别与该第一金属片的该顶面和该第二金属片的该顶面接合,该发光二极管芯片具有一正极和一负极,该正极与该第一金属片上的电路图案电连接,且该负极系与该第二金属片上的电路图案电连接。
地址 中国台湾新北市土城区永丰路135巷8号2楼
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