发明名称 焊盘厚度监测方法以及具有焊盘厚度监测结构的晶圆
摘要 本发明公开了一种焊盘厚度监测方法,包括以下步骤:提供位于晶圆测试区的半导体基底;在半导体基底上形成金属间介质层;对金属间介质层进行刻蚀并使用第一金属进行填充后形成第一金属区;在金属间介质层和第一金属区表面淀积形成第二金属层,第一金属在刻蚀工艺下的损失量小于第二金属的损失量;刻蚀第一金属区表面的至少部分第二金属层;在第一金属区、第二金属层表面以及金属间介质层表面淀积形成层间介质层;刻蚀第二金属层表面以及第一金属区表面的至少部分层间介质层;测量第二金属层上表面与第一金属区上表面的高度差,获得焊盘厚度。上述焊盘厚度监测方法可实现对焊盘厚度的有效监测。还公开了一种具有焊盘厚度监测结构的晶圆。
申请公布号 CN105990173A 申请公布日期 2016.10.05
申请号 CN201510054213.7 申请日期 2015.02.02
申请人 无锡华润上华科技有限公司 发明人 李健;胡骏
分类号 H01L21/66(2006.01)I;H01L23/544(2006.01)I 主分类号 H01L21/66(2006.01)I
代理机构 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 代理人 邓云鹏
主权项 一种焊盘厚度监测方法,包括以下步骤:提供位于晶圆测试区的半导体基底;在所述半导体基底上形成金属间介质层;对所述金属间介质层进行刻蚀并使用第一金属进行填充后形成第一金属区;在所述金属间介质层和所述第一金属区表面淀积形成第二金属层,所述第一金属在刻蚀工艺下的损失量小于所述第二金属的损失量;刻蚀所述第一金属区表面的至少部分所述第二金属层;在所述第一金属区、所述第二金属层表面以及所述金属间介质层表面淀积形成层间介质层;刻蚀所述第二金属层表面以及所述第一金属区表面的至少部分所述层间介质层;测量所述第二金属层上表面与第一金属区上表面的高度差,获得焊盘厚度。
地址 214028 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区新洲路8号