| 发明名称 | 半导体器件及制备方法、半导体器件的测试结构及方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种半导体器件及制备方法、半导体器件的测试结构及方法。所述测试结构包括半导体衬底；浮栅，位于所述半导体衬底上；浮栅极氧化物，位于所述半导体衬底和所述浮栅之间；控制栅，位于所述浮栅上；第一终端，与所述半导体衬底连接；第二终端，与所述控制栅电连接；第三终端，与露出的所述浮栅电连接。本发明所述测试结构和方法的优点在于：(1)可以通过在线WAT测试来监控周围区器件的所述浮栅和控制栅之间的界面层。(2)当所述周围区器件的所述浮栅和控制栅之间存在界面层，本发明所述检测结构仍可以准确的检测到栅极氧化物的电容-电流曲线，并且反馈得到准确的栅极氧化物的厚度。 | ||
| 申请公布号 | CN105990357A | 申请公布日期 | 2016.10.05 |
| 申请号 | CN201510056613.1 | 申请日期 | 2015.02.03 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 张金霜;李绍斌;邹陆军 |
| 分类号 | H01L27/115(2006.01)I;H01L23/544(2006.01)I;H01L21/66(2006.01)I;H01L21/8247(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/115(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人 | 高伟;冯永贞 |
| 主权项 | 一种半导体器件的测试结构，包括：半导体衬底；浮栅，位于所述半导体衬底上；浮栅极氧化物，位于所述半导体衬底和所述浮栅之间；控制栅，位于所述浮栅上，并且露出部分所述浮栅；第一终端，与所述半导体衬底电连接；第二终端，与所述控制栅电连接；第三终端，与露出的所述浮栅电连接。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||