发明名称 |
一种SRAM及其制造方法、电子装置 |
摘要 |
本发明提供一种SRAM及其制造方法、电子装置,所述SRAM包括至少一PG晶体管,其中所述PG晶体管的源区和漏区具有不同的掺杂浓度,所述PG晶体管的制造方法包括:提供半导体衬底,在半导体衬底上形成有鳍片,在鳍片的两端形成有隔离结构;在鳍片的一端形成第一凹槽,并在第一凹槽中外延生长高掺杂浓度外延层;在鳍片的另一端形成第二凹槽,并在第二凹槽中外延生长低掺杂浓度外延层;在鳍片的两侧及顶部形成栅极结构。根据本发明,在不改变PU、PD和PG的数量关系的前提下,可以有效提升所述SRAM的静态噪声容限和写容限。 |
申请公布号 |
CN105990348A |
申请公布日期 |
2016.10.05 |
申请号 |
CN201510086298.7 |
申请日期 |
2015.02.17 |
申请人 |
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
发明人 |
张弓;王颖倩 |
分类号 |
H01L27/11(2006.01)I;H01L21/8244(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/11(2006.01)I |
代理机构 |
北京市磐华律师事务所 11336 |
代理人 |
董巍;高伟 |
主权项 |
一种SRAM的制造方法,所述SRAM包括至少一PG晶体管,其中所述PG晶体管的源区和漏区具有不同的掺杂浓度,所述PG晶体管的制造方法包括:提供半导体衬底,在所述半导体衬底上形成有(201)鳍片,在所述鳍片的两端形成有隔离结构(200);在所述鳍片的一端形成第一凹槽(204),并在所述第一凹槽中外延生长高掺杂浓度外延层(205);在所述鳍片的另一端形成第二凹槽(208),并在所述第二凹槽中外延生长低掺杂浓度外延层(209);在所述鳍片的两侧及顶部形成栅极结构。 |
地址 |
201203 上海市浦东新区张江路18号 |