| 发明名称 | 半导体衬底、半导体器件、发光二极管及其制造方法 | ||
| 摘要 | 通过执行以下步骤获得包括砷化镓层的半导体衬底：制备具有由锗构成的分离层和在分离层上的砷化镓层的第一衬底的步骤；通过连接第一衬底和第二衬底而制备键合衬底的步骤；和在一部分分离层中分离键合衬底的步骤。 | ||
| 申请公布号 | CN100381619C | 申请公布日期 | 2008.04.16 |
| 申请号 | CN200480012145.8 | 申请日期 | 2004.04.30 |
| 申请人 | 佳能株式会社 | 发明人 | 米原隆夫;关口芳信 |
| 分类号 | C30B29/42(2006.01);C30B25/22(2006.01);H01L21/20(2006.01);H01L33/00(2006.01) | 主分类号 | C30B29/42(2006.01) |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 张浩 |
| 主权项 | 1.一种发光二极管的制造方法，包括：在由锗构成的半导体衬底上制备多孔锗层的步骤；在所述多孔锗层上形成包括砷化镓层的多个半导体层的步骤；在所述半导体层中形成发光二极管区的步骤；在所述发光二极管区上形成反射层的步骤；和在所述多孔锗层处分离所述半导体衬底的步骤。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||