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Nichtflüchtige Halbleiterspeichervorrichtung mit: einer Zelle zum Speichern von Daten durch Speichern einer elektrischen Ladung; einer Schreibeinheit zum Schreiben oder Löschen von Daten auf der Zelle durch Injizieren oder Extrahieren der elektrischen Ladung in die oder von der Zelle; einer Mehrzahl von Referenzzellen zum Halten einer Referenzspannung, wobei jede der Mehrzahl von Referenzzellen eine andere Referenzspannung hält; einer Mehrzahl von Komparatoren zum Vergleichen eines Zellenstroms der Zelle mit einem Referenzstrom der Mehrzahl von Referenzzellen; und einer Schwellenwertaktualisierungseinheit zum Auswählen von einem der Mehrzahl von Komparatoren und einer der Mehrzahl von Referenzzellen und zum Bestimmen der Haltespannung der ausgewählten Referenzzelle als einen Schwellenwert, der zwischen dem beschriebenen Zustand und dem gelöschten Zustand der Speicherzelle unterscheidet. |
