一种金纳米阵列电极及其制备的无酶过氧化氢传感器

摘要

本发明公开了一种金纳米阵列电极及其制备的无酶过氧化氢传感器，该金纳米阵列电极采用以下步骤制备而成：制备硅基单层聚合物胶体晶体阵列，并以该单层聚合物胶体晶体阵列为模板，采用物理沉积方法在所述模板的表面沉积一层厚度为10～100nm的金膜；对上述沉积有金膜的模板进行热分解及退火处理，以去除单层聚合物胶体晶体阵列，从而制得硅基金纳米阵列；将该硅基金纳米阵列直接作为金纳米阵列电极。本发明不仅检测限制低、灵敏度高、稳定性好，而且制备方法简单、操作简便、经济环保。

主权项

一种金纳米阵列电极，其特征在于，采用以下步骤制备而成：步骤A、制备硅基单层聚合物胶体晶体阵列，并以该硅基单层聚合物胶体晶体阵列为模板，采用物理沉积方法在所述模板的表面沉积一层厚度为10～400nm的金膜；步骤B、对上述沉积有金膜的模板进行热分解及退火处理，以去除单层聚合物胶体晶体阵列，从而制得硅基金纳米阵列；将该硅基金纳米阵列直接作为金纳米阵列电极。