一种新型PoP堆叠封装结构及其制造方法

摘要

本发明的新型PoP堆叠封装结构，包括两层或两层以上的封装体，每层封装体中包含单个或多个晶片；相邻两封装体中：上层封装体中的信号端通过导通线与焊盘相连接，下层封装体中晶片的外围设置有贯穿于树脂保护层的连接通孔。本发明封装结构的制造方法包括a).晶圆磨片；b).晶圆划片；c).上片操作；d).塑封；e).再布线；f).粘附；g).开设通孔；h).置球；i).绝缘处理；j).切单。本发明的PoP堆叠封装结构，通过设置连接通孔，不仅可将上层晶片的焊盘信号引出，还可使得引脚间距增大，避免了信号之间的干扰，有利于芯片的封装。本发明的制造方法，每个晶片的处理过程均相互独立，不仅提高了工作效率，而且还保证了成品率。

主权项

一种PoP堆叠封装结构的制造方法，PoP堆叠封装结构包括两层或两层以上的封装体，其最下层为表面设置有锡球（11）的底层封装体（2），最上层为顶层封装体（1），每层封装体由单个或多个晶片以及设置于晶片外围的树脂保护层（7）组成，每个晶片的正面均设置有焊盘（4）；相邻两封装体中：上层封装体中晶片外围的树脂保护层上设置有信号端（6），信号端通过再布线技术形成的导通线（5）与该层封装体内晶片的焊盘相连接，下层封装体中晶片的外围设置有贯穿于树脂保护层的连接通孔（8），连接通孔内填充有用于将上层封装体中信号端的电信号引出的导电物质；所述底层封装体的下表面上设置有与该层晶片的焊盘或连接通孔中的导电物质电连接的引出端（10），锡球固定于引出端上；其特征在于，PoP堆叠封装结构的制造方法通过以下步骤来实现：a).晶圆磨片，采用防止碎片工艺对晶圆的背面进行研磨，使晶圆减薄到所要求的厚度；b).晶圆划片，将研磨后的晶圆进行切割，形成相互分离的单个晶片；c).上片操作，分别抓取分离好的晶片，有序放置于一载板晶圆上，并使相邻的单个晶片之间保持一定的距离，以预留出树脂扩展区；d).塑封，对载板晶圆上的晶片进行树脂包封，以对晶片进行密封保护和形成封装体的树脂扩展区；e).再布线，通过光刻、溅射、曝光、显影步骤使晶片上的焊盘引到树脂扩展区上对应的信号端，形成再布线晶圆；将所有待封装的晶圆均进行步骤a)至e)的处理；f).粘附，将在封装结构上相邻的两再布线晶圆粘结在一起，并使上层再布线晶圆上的信号端与下层再布线晶圆上将要开设连接通孔的位置处对齐；g).开设通孔，在下层再布线晶圆的树脂保护层区域上，与上层再布线晶圆的信号端相对应的位置处开设连接通孔，并在连接通孔内填充导电物质，如金属；按照封装体由上至下的顺序，将所有的再布线晶圆均依次进行步骤f)和g)的处理；h).置球，在最下层的再布线晶圆的引出端上植上锡球，形成球栅阵列封装结构；i).绝缘处理，对最下层封装体的外表面进行绝缘处理，将最下层绝缘体中的晶片、焊盘、导通线和引出端密封起来，仅将锡球裸露在外；j).切单，将粘附在一起并经过开通孔和置球后的再布线晶圆沿切割道划开，使堆叠封装结构互相分离，形成产品。