CMOS整流二极管电路单元

摘要

本发明公开了一种CMOS整流二极管电路单元，包括一个PMOS晶体管、一个NMOS晶体管、第一偏置电压源和第二偏置电压源；所述PMOS晶体管的源极与所述第二偏置电压源的负端相连，并一起连接到整流二极管单元的正端，所述PMOS晶体管的栅极与所述第一偏置电压源的负端相连，所述PMOS晶体管的漏极和衬底连接在一起，并与所述NMOS晶体管的漏极和衬底相连；所述NMOS晶体管的源极与所述第一偏置电压源的正端相连，并一起连接到整流二极管单元的负端，所述NMOS晶体管的栅极与所述第二偏置电压源的正端相连。本发明提供的CMOS整流二极管电路单元不仅具有较低的开启电压，而且具有非常低的反向漏电，适用于在超低功耗整流电路中，可有效提高整流电路的效率。

主权项

一种CMOS整流二极管电路单元，其特征在于，包括：一个PMOS晶体管、一个NMOS晶体管、第一偏置电压源和第二偏置电压源；所述PMOS晶体管的源极与所述第二偏置电压源的负端相连，并一起连接到整流二极管单元的正端，所述PMOS晶体管的栅极与所述第一偏置电压源的负端相连，所述PMOS晶体管的漏极和衬底连接在一起，并与所述NMOS晶体管的漏极和衬底相连；所述NMOS晶体管的源极与所述第一偏置电压源的正端相连，并一起连接到整流二极管单元的负端，所述NMOS晶体管的栅极与所述第二偏置电压源的正端相连。