| 发明名称 | 干式蚀刻以及外延沉积工艺及装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供一外延沉积工艺，其包含干式蚀刻工艺与后续的外延沉积工艺。干式蚀刻工艺包括放置一待清洁的基材至一处理室(100)中以移除表面氧化物。通过气体入口(142)导入一气体混合物至一等离子体腔室(149)中，且激发该气体混合物以在该等离子体腔室中形成反应气体的一等离子体。该反应气体进入工艺区域(110)中且与该基材反应而形成一薄膜。加热该基材以蒸发该薄膜且将外延表面裸露。外延表面是实质上不具氧化物。外延沉积接着用以形成一外延层于该外延表面上。 | ||
| 申请公布号 | CN101379214A | 申请公布日期 | 2009.03.04 |
| 申请号 | CN200780004498.7 | 申请日期 | 2007.01.16 |
| 申请人 | 应用材料股份有限公司 | 发明人 | A·兰;Y·金;S·库普里奥;S－E·潘;X·陆;C－T·考 |
| 分类号 | C23C16/452(2006.01);C23C16/505(2006.01);H01L21/306(2006.01);H01L21/02(2006.01);C23C16/02(2006.01);H01L21/00(2006.01) | 主分类号 | C23C16/452(2006.01) |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人 | 陆嘉 |
| 主权项 | 1.一种外延沉积方法，包含：导入基材至处理室中；导入气体混合物至等离子体腔室中；激发该气体混合物以在该腔室中形成反应气体的等离子体；导入该反应气体至该处理室中；利用该反应气体处理该基材以裸露外延表面；以及在该外延表面上形成外延层。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||