非布司他新型晶体及其制备方法

摘要

本发明涉及晶体晶型的控制技术，更具体而言，涉及一种非布司他的新型晶体(定义为晶型K)及其制备方法。该晶型晶体的X射线粉末衍射图在反射角2θ在为5.64±0.2，7.80±0.2，11.38±0.2，11.70±0.2，12.54±0.2，12.74±0.2，17.18±0.2和26.12±0.2°处具有特征峰。其制备方法包括：非布司他在1，4-二氧六环中加热溶解后，或者非布司他在1，4-二氧六环与选自正己烷、石油醚和环己烷中的一种溶剂的混合溶剂中加热溶解后，冷却结晶，得到非布司他晶型K晶体。本发明的晶型K晶体在正常存储条件下具有很好的稳定性，且其制备过程中所用的溶剂安全性高，非布司他在1，4-二氧六环构成的溶剂系统中易生成结晶，所得结晶纯度高，更有利于产品开发。

主权项

1、非布司它晶型K晶体，其特征是:在如下测试条件下:X射线管:Cu-Kα靶X射线波长:管压:40KV管电流:60mA扫描角度:2.5°～50°   扫描速度:4°/min该晶型晶体的X射线粉末衍射图在反射角2θ在为5.64±0.2，7.80±0.2，11.38±0.2，11.70±0.2，12.54±0.2，12.74±0.2，17.18±0.2和26.12±0.2°处具有特征峰。