| 发明名称 | 形成半导体器件中微图案的方法 | ||
| 摘要 | 一种形成半导体器件中微图案的方法，包括：在蚀刻目标层上形成第一蚀刻停止层，在第一蚀刻停止层上形成第二蚀刻停止层，在第二蚀刻停止层上形成第一牺牲层，蚀刻第一牺牲层和第二蚀刻停止层的一部分以形成第一牺牲图案，沿第一蚀刻停止层的上表面形成绝缘层，在绝缘层上形成第二牺牲层以覆盖绝缘层，平坦化第二牺牲层和绝缘层以暴露第一牺牲图案，除去第一牺牲图案和第二牺牲层，蚀刻第二蚀刻停止层和绝缘层由此形成第二牺牲图案，蚀刻第一蚀刻停止层，和蚀刻所述蚀刻目标层。 | ||
| 申请公布号 | CN101388325A | 申请公布日期 | 2009.03.18 |
| 申请号 | CN200810126896.2 | 申请日期 | 2008.07.10 |
| 申请人 | 海力士半导体有限公司 | 发明人 | 金原圭;李基领 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I;H01L21/033(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 刘继富;顾晋伟 |
| 主权项 | 1. 一种形成半导体器件中微图案的方法，所述方法包括：提供蚀刻目标层；在所述蚀刻目标层上形成第一蚀刻停止层；在所述第一蚀刻停止层上形成第二蚀刻停止层；在所述第二蚀刻停止层上形成第一牺牲层；蚀刻所述第一牺牲层和所述第二蚀刻停止层的一部分以形成第一牺牲图案；沿包括所述第一牺牲图案的所述第一蚀刻停止层的上表面形成绝缘层；在所述绝缘层上形成第二牺牲层以覆盖所述绝缘层；平坦化所述第二牺牲层和所述绝缘层以暴露所述第一牺牲图案；除去所述第一牺牲图案和所述第二牺牲层；蚀刻所述第二蚀刻停止层和所述绝缘层以形成第二牺牲图案；使用所述第二牺牲图案作为蚀刻阻挡层，蚀刻所述第一蚀刻停止层；和使用所述第一蚀刻停止层作为蚀刻阻挡层蚀刻所述蚀刻目标层。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道利川市 | ||