发明名称 COMPENSATING FOR COUPLING DURING READ OPERATIONS IN NON-VOLATILE STORAGE
摘要 인접 비트라인들 상의 저장 소자들로부터의 용량성 커플링이, 상기 인접 비트라인들에 인가된 전압들을 조정함으로써 보상된다. 초기 비정밀 판독(initial rough read)이 수행되어, 상기 비트라인 인접 저장 소자들의 데이터 상태들이 확인되고, 후속적인 정밀 판독(fine read) 동안에, 상기 확인된 상태들 및 선택된 워드라인에 인가되는 전류 제어 게이트 판독 전압을 근거로 비트라인 전압들이 설정된다. 전류 제어 게이트 판독 전압이 인접 저장 소자의 확인된 상태보다 낮은 데이터 상태에 대응할 때, 보상 비트라인 전압(compensating bit line voltage)이 사용된다. 인접 워드라인 상의 저장 소자로부터의 커플링에 대한 보상은 또한, 인접 워드라인에 서로 다른 판독 패스 전압들을 인가하는 것과, 워드라인 인접 저장 소자의 데이터 상태에 근거하여 식별되는 특정한 판독 패스 전압을 사용하여 판독 데이터를 획득하는 것에 의해 제공될 수 있다.
申请公布号 KR101667007(B1) 申请公布日期 2016.10.17
申请号 KR20117005006 申请日期 2009.07.17
申请人 샌디스크 테크놀로지스 엘엘씨 发明人 두타 디판슈;룻제 제프레이 더블유.;동 잉다;친 헨리;이시가키 토루
分类号 G11C16/34;G11C16/24;G11C16/26 主分类号 G11C16/34
代理机构 代理人
主权项
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