发明名称 电子照相用构件及其生产方法、处理盒、和电子照相设备
摘要 本发明涉及电子照相用构件及其生产方法、处理盒、和电子照相设备。提供即使在高温高湿环境下长期保存和使用仍不降低电荷提供性能、并因此有利于高品质电子照相图像的形成的电子照相用构件。电子照相用构件包括:导电性基体;和导电层,其中:导电层包含在其分子内具有阳离子性有机基团的树脂和阴离子;导电层中碱金属和碱土金属的含量的总和为500ppm以下;阴离子包括选自由氟化磺酸根阴离子、氟化羧酸根阴离子、氟化磺酰基酰亚胺阴离子、氟化磺酰基甲基化物阴离子、氟化烷基氟代硼酸根阴离子、氟化磷酸根阴离子、氟化锑酸根阴离子、和氟化砷酸根阴离子组成的组的至少一种。
申请公布号 CN105739262A 申请公布日期 2016.07.06
申请号 CN201510996408.3 申请日期 2015.12.25
申请人 佳能株式会社 发明人 山口壮介;山田真树;有村秀哉;山内一浩;西冈悟
分类号 G03G15/02(2006.01)I;G03G15/08(2006.01)I;G03G15/16(2006.01)I;G03G21/00(2006.01)I 主分类号 G03G15/02(2006.01)I
代理机构 北京魏启学律师事务所 11398 代理人 魏启学
主权项 一种电子照相用构件,其包括:导电性基体;和在所述基体上的导电层,其特征在于:所述导电层包含在其分子内具有阳离子性有机基团的树脂和阴离子;所述导电层中碱金属和碱土金属的含量的总和为500ppm以下;和所述阴离子包括选自由氟化磺酸根阴离子、氟化羧酸根阴离子、氟化磺酰基酰亚胺阴离子、氟化磺酰基甲基化物阴离子、氟化烷基氟代硼酸根阴离子、氟化磷酸根阴离子、氟化锑酸根阴离子、和氟化砷酸根阴离子组成的组的至少一种。
地址 日本东京都大田区下丸子3丁目30番2号