| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体器件，包括：多个鳍片，在衬底上沿第一方向延伸；多个栅极堆叠和多个接触线条，在衬底上沿第二方向延伸并跨越多个鳍片；绝缘层，填充在多个栅极堆叠和多个接触线条之间；源漏区，在多个鳍片中、分布在多个栅极堆叠两侧；其中，相邻两个栅极堆叠之间有一个或多个接触线条，接触线条在源漏区上构成源漏接触。依照本发明的半导体器件及其制造方法，采用双重图形化工艺横跨鳍片结构形成间隔排列的牺牲栅极线条和牺牲源漏接触线条，通过选择性刻蚀分别依次去除两者而填充最终栅极和最终源漏接触，提高了源漏接触的可靠性。 | ||
| 申请公布号 | CN105762187A | 申请公布日期 | 2016.07.13 |
| 申请号 | CN201410790105.1 | 申请日期 | 2014.12.17 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 钟汇才;罗军;赵劼;赵超;朱慧珑 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L23/535(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京蓝智辉煌知识产权代理事务所(普通合伙) 11345 | 代理人 | 陈红 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括：多个鳍片，在衬底上沿第一方向延伸；多个栅极堆叠和多个接触线条，在衬底上沿第二方向延伸并跨越多个鳍片；绝缘层，填充在多个栅极堆叠和多个接触线条之间；源漏区，在多个鳍片中、分布在多个栅极堆叠两侧；其中，相邻两个栅极堆叠之间有一个或多个接触线条，接触线条在源漏区上构成源漏接触。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3# | ||