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发明名称
欠陥密度の低いバルクの炭化ケイ素
摘要
炭化ケイ素の製造方法を開示する。当該方法は炉殻、炉殻の外側に配置された少なくとも一つの加熱素子、及び断熱材に囲まれた炉殻内部に配置されるホットゾーンを備えた昇華炉を提供する工程を含む。当該ホットゾーンは下部領域に炭化ケイ素前駆体が配置され、上部領域に炭化ケイ素シードが配置されたるつぼを含む。当該ホットゾーンは炭化ケイ素前駆体の昇華のために加熱され、炭化ケイ素シードの底面に炭化ケイ素を形成する。また、得られた炭化ケイ素材料、並びに炭化ケイ素を製造するための昇華炉も開示する。
申请公布号
JP2016531837(A)
申请公布日期
2016.10.13
申请号
JP20160540423
申请日期
2014.09.05
申请人
ジーティーエイティー コーポレーションGTAT CORPORATION
发明人
ドラチェフ, ローマン ヴィー.;サンタナラガヴァン, パルタサラティ;アンドルキヴ, アンドリー エム.;ライトル, デイヴィッド エス.
分类号
C30B29/36;C30B23/08
主分类号
C30B29/36
代理机构
代理人
主权项
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