SEMICONDUCTOR DEVICES AND METHODS OF MANUFACTURING THEREOF
摘要
반도체 장치는 기판, 기판 상에 형성된 터널 절연막 패턴, 터널 절연막 패턴 상에 적층된 전하 저장 패턴, 전하 저장 패턴 상에 적층되며 전하 저장 패턴보다 감소된 폭을 갖는 유전막 패턴, 유전막 패턴 상에 적층되며 유전막 패턴보다 확장된 폭을 갖는 컨트롤 게이트, 및 컨트롤 게이트 상에 적층된 금속 함유 게이트를 포함한다.
申请公布号
KR20160116882(A)
申请公布日期
2016.10.10
申请号
KR20150045245
申请日期
2015.03.31
申请人
SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.
发明人
NAMKOONG, HYUN;KIM, DONG KYUM;KIM, JUNG HWAN;JEE, JUNG GEUN;YANG, HAN VIT;YOO, JI MAN