. A semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

摘要

반도체 소자는 기판 상에 배치되고, 개구부가 구비되고 다공성을 갖는 저유전 절연 물질을 포함하는 층간 절연막이 구비된다. 상기 개구부의 내측벽 상에 데미지 큐어링막이 구비된다. 상기 데미지 큐어링막 상에 베리어막 패턴이 구비된다. 또한, 상기 베리어막 패턴 상에, 상기 개구부 내부를 채우는 구리 패턴 및 상기 구리 패턴의 표면을 덮는 구리-망간 캡핑 패턴을 포함하는 구리 구조물이 구비된다. 상기 반도체 소자의 배선 구조물은 금속의 확산이 방지되어 저저항을 가질 수 있다.