发明名称 SULFONIUM SALT CHEMICALLY AMPLIFIED RESIST COMPOSITION AND PATTERNING PROCESS
摘要 [과제] 고에너지선을 광원으로 한 포토리소그래피에 있어서, 고도로 산 확산을 억제하여, 감도, MEF, 초점 심도가 우수하고, 또한 노광기 오염의 원인이 될 수 있는 아웃가스가 적고, 나아가 상용성이 우수하여, 디펙트가 발현되기 어려운 화학 증폭 레지스트 조성물에 사용되는 광산발생제, 및 상기 광산발생제를 포함하는 화학 증폭 레지스트 조성물, 및 상기 레지스트 조성물을 이용한 패턴 형성 방법을 제공한다. [해결수단] 하기 식(1)으로 표시되는 술포늄염.
申请公布号 KR20160140460(A) 申请公布日期 2016.12.07
申请号 KR20160064811 申请日期 2016.05.26
申请人 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 发明人 후지와라 다카유키;오하시 마사키
分类号 C07C307/02;C07C311/09;G03F1/48;G03F7/20 主分类号 C07C307/02
代理机构 代理人
主权项
地址