半导体架构及其形成方法

摘要

一种半导体架构，包括具有第一装置区以及第二装置区的半导体基底。栅极层横跨于半导体基底上的第一装置区以及第二装置区，横跨第一装置区的栅极层的第一部与具有第一型态的杂质执行掺杂，而横跨于第二装置区的栅极层的第二部与具有第二型态的杂质执行掺杂。设置于栅极层上方的披覆层用以避免于被披覆层覆盖的栅极层上方形成金属硅化物结构，其中此披覆层于栅极层的第一部与第二部的接面处具有至少一开口，并于此开口中设置金属硅化层，以降低介于栅极层的第一部与第二部之间接面的电阻。

主权项

1.一种半导体架构，包括：半导体基底，具有第一装置区以及第二装置区；栅极层，横跨于上述半导体基底上的上述第一装置区以及第二装置区，其中横跨上述第一装置区的上述栅极层的第一部掺杂第一型态的杂质，而横跨于上述第二装置区的上述栅极层的第二部掺杂第二型态的杂质；披覆层，设置于上述栅极层上方，用以避免被上述披覆层覆盖的栅极层形成金属硅化物结构，其中上述披覆层于上述栅极层的第一部与第二部的接面处具有至少一开口；以及金属硅化层，设置于上述栅极层的上方的上述开口中。